发明人: 张传科
一般而言,常用的绝缘栅场效应管的结构等价于两个背靠背的PN结串联在一起的形式。通常使用中是将场效应管的源极与衬底连接在一起引出,形成三引线(源极、漏极、栅极)形式的结构。由此可见,其中的一个PN结在电路中是不起作用的,完全可以去掉其中的一个PN结,同时不会影响管子的性能。
综上所述,本发明提出的方法结构简单、节约材料、缩小体积等,对于昂贵的硅材料,其节省效果尤其明显。
在包括集成电路、分立元件在内的半导体制造行业,MOS场效应管是基本的元件,广泛的应用到各种电子元器件与电子设备上。
本技术现在寻求技术转让或者许可证方式的技术许可,具体的合作方式可由双方共同协商确定。